争抢1xnm代工商机 晶圆厂决战FinFET制程
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2013-09-02 09:50
鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14奈米市场商机,台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投资FinFET技术,并各自祭出供应链联合作战策略,预计将于2014~2015年陆续投入量产,让晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。
FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14奈米市场商机,并建立10奈米发展优势,台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术,并已将开战时刻设定于2014?2015年;同时也各自祭出供应链联合作战策略,期抗衡英特尔和三星等IDM的规模优势,让整个晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。
鳍式电晶体(FinFET)技术可有效控管电晶体闸极漏电流问题,并提高电子移动率,因而能大幅提升晶片运算效能同时降低功耗,现已成为全球晶圆厂迈向下一个制程节点的唯一途径。一线大厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式,加速14或16奈米FinFET量产脚步,抢先圈地市场商机。
其中,IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后段金属导线(BEOL)制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16奈米FinFET世代,初版方案亦可望采用类似的混搭技术,足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。
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