争抢1xnm代工商机 晶圆厂决战FinFET制程

争抢1xnm代工商机 晶圆厂决战FinFET制程

确保与IBM合作有成　联电紧握14/10nm主导权

       至于联电近期则进一步扩大与IBM的合作计划，全力冲刺14和10奈米FinFET制程量产。不过，联电也不忘记取当初发展0.13微米时，授权IBM方案却面临量产窒碍难行，反遭台积电大幅超前进度的教训；此次在14/10奈米的合作仅将采用IBM基础技术平台与材料科技，并将主导大部分制程研发，以结合先进科技和具成本效益的量产技术，避免重蹈覆辙。


        联电执行长颜博文认为，联电2013年第二季整体营运表现优于预期，而第三季也可望延续成长动能。
联电执行长颜博文(图2)表示，随着IC设计业者对于更新、更先进技术的需求日益增高，联电日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互补式金属氧化物半导体(CMOS)技术联盟，将与IBM协同努力，克服现阶段的研发障碍。

       事实上，格罗方德和三星在14奈米FinFET制程发展方面，亦与IBM有相当密切的合作往来，因而引发业界对联电难以突显制程差异性的疑虑。此外，法人也忧心联电和IBM共同推动0.13微米制程的失败情形重演，更对IBM的前瞻制程科技抱持“中看不重用”的怀疑，担心联电无法在2015年的1x奈米FinFET市场争取有利位置。

       对此，颜博文回应，过去联电在0.13微米落后对手肇因于未与IBM明确分工，因此，未来发展14和10奈米制程，联电将导入IBM的FinFET基础制程平台与材料科技，加速复杂立体结构的FinFET技术成形，同时根据客户需求自行开发衍生性的量产方案，以结合两家公司各自的技术能量，加快产品上市时程，并提高制程独特性与市场竞争力。

       据悉，联电将积极争取14/10奈米FinFET制程主导权，除持续扩充相关制程设备与验证分析解决方案的第三方合作夥伴阵容外，今年规画15亿美元资本支出中，亦将投入三分之二建置28奈米以下制程，可见其高度看重FinFET技术投资。 颜博文强调，相较于其他对手投注大量资源发展20奈米，联电将跳过此一制程节点，集中火力抢攻14奈米FinFET技术，并将同步启动10奈米FinFET研究计划，让资本支出与研发资源发挥最大效益。

确定不玩20奈米　联电集中火力攻FinFET
由于20奈米研发所费不赀，加上市场需求仍不明朗，因此联电已计划跨过20奈米节点，加速挺进更具投资效益的14奈米FinFET世代，以与台积电、格罗方德和三星一较高下。

       黄克勤分析，20奈米制程带来的效益将不如从40奈米演进至28奈米的水准，且须导入双重曝光(Double-patterning)方案，势将增加一笔可观花费，已使处理器业者的导入意愿开始动摇；再加上主要晶圆代工业者皆规画在2015年推出16或14奈米FinFET制程，在多方权衡之下，联电遂决定放缓20奈米投资，专心克服14奈米FinFET牵涉的材料掺杂、测试验证和晶圆前后段混搭制程等技术挑战，以因应即将到来的FinFET市场卡位战。

       黄克勤强调，英特尔(Intel)率先投入FinFET制程量产，大幅提高处理器效能并降低功耗，近来在行动装置品牌市场已有不错成绩；一旦其市占持续攀升，势将影响高通(Qualcomm)与相关晶圆代工供应链的投资计划，并加速制程研发步调，以免技术差距持续被拉大。因应此一趋势，联电遂倾向将资源集中在FinFET技术上，并跳过20奈米制程发展。

       除联电缩手20奈米以确保将钱用在刀口上，三星和格罗方德也未提出明确的20奈米发展计划，唯独台积电仍倾力发展，因而引发业界对其未来产能将过剩的疑虑。

       对此，分析师认为，台积电强推20奈米，系维持先进制程Time to Market的领先脚步，且因20奈米能沿用部分28奈米设备，并与下一阶段16奈米FinFET互补，就长期发展来看有其投资必要性；而且从晶片商的投片计划来看，大多会与晶圆厂合作好几代的产品，台积电只要取得1?2家处理器厂大量投片，对其未来巩固市占率和营收都相当有帮助。