争抢1xnm代工商机 晶圆厂决战FinFET制程

来源:华强电子网 作者:—— 时间:2013-09-02 09:50


抢先台积电/联电 格罗方德冲刺10奈米制程

       不仅台积电和联电两大晶圆代工元老正以迥异的营运策略,加紧部署FinFET产线,甫成军4年的格罗方德亦全力推动FinFET量产方案,并计划在2014年推出14奈米FinFET,紧接着再花1年时间在2015年抢先进入10奈米世代,揭开晶圆代工产业竞争新局。

       格罗方德先进技术架构副总裁Subramani Kengeri表示,20及14奈米技术对晶圆代工产业有举足轻重的影响,因为20奈米首次使用双重曝光,而14奈米则率先转搭FinFET架构,因此格罗方德特别设计一连串可降低模具成本的制程方案,进而使两世代节点无缝接轨,加速半导体制程演进脚步。

       Kengeri更强调,格罗方德自尚未从超微(AMD)分拆时,就已投入FinFET基础研究,近10年来已累积庞大的专利阵容,目前正紧锣密鼓研拟第二代10奈米FinFET电晶体架构,以及相应的三重曝光技术,并已定义完成10奈米制程,预计2015年即可进入量产,可望领先业界在晶圆前后段制程均实现FinFET架构。此外,该公司近期也启动7奈米早期研发,将更进一步增强产品效能并缩减尺寸及功耗。

       Kengeri透露,格罗方德预计于2013年投入约45亿美元资本支出,并将于未来2年持续投资,以加速扩充14和10奈米FinFET制程产能,争取更高的晶圆代工市占率。

       因应格罗方德的猛烈攻势,台积电亦紧锣密鼓投入10奈米布局,避免在任何新技术节点的发展被对手超前。据悉,该公司与艾司摩尔(ASML)共同研发次世代极紫外光(EUV)微影技术,已进入收割阶段,可望在2017年用于10奈米晶圆,大幅提高吞吐量与生产效率,打造兼具效能和成本优势的商用制程。

       尽管格罗方德信誓旦旦将于2015年抢先发表10奈米FinFET制程,然而业界认为该制程节点将面对极为复杂的技术挑战,要在2015年正式量产将有一定的困难度。包括电晶体通道大幅微缩将影响电子移动性,须导入新的电晶体通道材料取代传统的矽方案;且电晶体密度大增亦将垫高电路布局(Layout)难度,牵动晶圆厂进行大幅度的设计规范(Design Rule)和制程设计套件(PDK)修改。

       为协助半导体产业跨越10奈米FinFET技术门槛,比利时微电子研究中心(IMEC)正快马加鞭研发下世代电晶体材料与电路互连技术,将以矽锗(SiGe)或三五族(III-V)材料替代矽方案,并透过奈米线(Nanowire)或石墨烯技术实现更细致的电路成型与布局。

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