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  • 三星明年完成3nm GAA工艺开发 性能大涨35%

    尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议,公布了旗下新一代工艺的进展,其中3nm工艺明年就完成开发了。三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一

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    2019-09-11 15:33
  • 台积电宣布增强版7nm/5nm:性提升7%

    在日本的2019VLSISymposium超大规模集成电路研讨会上,台积电宣布了两种新工艺,分别是7nm、5nm的增强版,但都比较低调,没有过多宣传。7nm工艺的增强版代号为“N7P”(P即代表性能Performance),在原有第一代N77n

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    2019-07-31 11:55
  • 台积电:3nm工艺进展顺利 已有客户参与

    如今在半导体工艺上,台积电一直十分激进,7nmEUV工艺已经量产,5nm马上就来,3nm也不远了。台积电CEO兼联席主席蔡力行(C.C.Wei)在投资者与分析师会议上透露,台积电的N33nm工艺技术研发非常顺利,已经有早期客户参与进来,与台积电

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    2019-07-25 10:03
  • 三星7nm工艺确认下半年量产 2021年冲3nm GAA量产

    为了减低近期存储器降价带来的冲击,全球存储器龙头三星逐渐强化晶圆代工业务,希望有机会进一步拉近与台积电的差距。在先进制程的发展方面,根据三星高层表示,将在2019下半年量产内含EUV技术的7纳米制程,而2021年量产更先进的3纳米GAA制程。根

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    2019-01-14 09:44
  • 台媒:台积电3纳米厂有望今年动工

    据台湾地区媒体报道,为了帮台积电3纳米厂解决用水问题,台湾地区内政部营建署昨(3)日表示,台南永康再生水厂统包工程已决标,预计2020年将可完工,预计每日供应南科台南园区1.55万吨再生水。此外,安平再生水厂目前也正在协商用水契约,预计2021

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    2019-01-04 14:18
  • 台积电加速推进3nm工艺:要2020年量产!

    据报道,台积电3nm工厂通过环境评测,依据原定时程,全球第一座3nm厂可望在2020年动工,最快2022年底量产,全球半导体产业迈向新纪元。对于台积电来说,加速推进3nm工艺,主要原因是,防止对手三星加快投资脚步,同时也是不希望因为环评案不通过

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    2018-12-20 14:48
  • 3纳米之争!三星2020年量产 台积电建厂环评过关应战

    根据19日台湾地区环保署所召开的环评大会决议,晶圆代工龙头台积电预计斥资新台币6,000亿元,于南科兴建3纳米厂的计划,在经济部能源局、水利署、以及台电挂保障,在供电与供水都将无虞的情况下,环评委员已决议通过南科园区环境差异变更计划。台积电3纳

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    2018-12-20 10:06
  • 台积电3nm技术到位 5nm制程明年试产

    近日,台积电举办一年一度的供应链管理论坛,台积电总裁魏哲家表示,在供应商的配合下,“让7奈米能在2018年迅速且量产成功。”魏哲家表示,2019年第二季5纳米制程将进行风险试产,预计2020年量产。而3纳米的技术也都已经到位,他说道,“一切就等

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    2018-12-10 11:30
  • 3nm工艺的救星?ASML、IMEC联合研发第二代EUV光刻机

    随着三星宣布7nmEUV工艺的量产,2018年EUV光刻工艺终于商业化了,这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战,目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有达到理想状态,EUV工艺还有很长的路要走。在现有

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    2018-10-30 11:56
  • 台积电3纳米厂最快2022年量产,环差初审一次过关

    半导体龙头大厂台积电投资逾新台币6,000亿元的3纳米厂确定落脚南科台南园区,台湾地区环保署环评专案小组昨(15)日审查南科管理局提出的环差案,台积电挂水电双保证,承诺未来20%使用绿电、每日使用再生水7.3万吨,环评小组因此一次过关,这是近年

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    2018-08-16 10:16
  • 三星制程技术蓝图:2021年量产3nm GAA FinFET

    三星电子(SamsungElectronics)计划于2021年量产FinFET晶体管架构的后继产品——采用3纳米(nm)制程节点的环绕式闸极(gate-all-around;GAA)晶体管。在上周二(5月22日)举行的年度代工技术论坛上,这家

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    2018-05-30 10:45
  • 三星计划2021年FinFET晶体管架构的后继产品

    三星电子(SamsungElectronics)计划于2021年量产FinFET晶体管架构的后继产品——采用3纳米(nm)制程节点的环绕式闸极(gate-all-around;GAA)晶体管。在近日举行的年度代工技术论坛上,这家韩国巨擘重申将在

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    2018-05-29 13:44

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