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台积电首次公布2nm制程工艺，2025年量产
6月17日消息，钛媒体App获悉，今天凌晨举行的台积电北美技术论坛上，台积电（TSMC）正式公布未来先进制程路线图。其中，台积电3nm（N3）工艺将于2022年内量产，而台积电首度推出采用纳米片晶体管（GAAFET）架构的2nm（N2）制程工艺
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造出2nm芯片后，IBM与日本联手开发尖端芯片
众所周知，半导体的线路直径越小，性能就越好。美国IBM公司目前有最先进的工艺技术——已经造出2nm芯片，日本则在半导体生产设备方面占有优势。设想一下双方强强联合会对半导体行业带来什么样的影响。据外媒周二（6月8日）最新报道，日本经济产业省将协同
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2nm芯片首发：台积电IBM之争，三星、英特尔躺赢？
5月7日消息，IBM宣布已推出全球首颗2nm制程芯片，新一代芯片较此前7nm制程耗电量减少75%，输出性能提升45%。通俗来说，就是有将500亿个晶体管压缩到一个指甲盖大小的本事了。编者也认为，2nm制程将为产业链提供性能和效率之间更好的平衡。
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CFET结构晶体管有助于2nm以下制程的新一代半导体技术
3月11日消息，晶圆代工领域走入先进制程技术，目前美国半导体巨头英特尔仍在为7nm制程研发伤透脑筋，全球晶圆代工龙头台积电与竞争对手、南韩科技大厂三星电子较劲，除了先进封装技术，制程采用技术更是市场焦点，三星声称将在3nm制程采用环绕闸极技术（
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台积电2nm工厂已获得建厂所需土地 计划建在新竹
8月25日消息，据国外媒体报道，5nm工艺在一季度大规模投产之后，台积电下一步的工艺研发重点就将是更先进的3nm工艺和2nm工艺，为尽快量产，相关的工厂也需要提前谋划，同步跟进。虽然3nm工艺还未投产，2nm工艺也还在研发阶段，但台积电已经在谋
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台媒：台积电2nm制程研发取得突破 将切入GAA技术
7月13日消息，据台湾媒体报道，台积电冲刺先进制程，在2nm研发有重大突破，已成功找到路径，将切入环绕式栅极技术(gate-all-around，简称GAA)技术。台媒称，三星已决定在3nm率先导入GAA技术，并宣称要到2030年超过台积电，取
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终于！台积电启动2nm工艺研发，三星惨败！
9月18日，据外媒报道，台积电已经正式宣布启动2nm工艺的研发，并将在位于中国台湾新竹的南方科技园建立2nm工厂。按照台积电的说法，2nm工艺预计需要研发4年时间，最快要到2024年才能够进入批量生产。而在2024年之前，5nm和3nm工艺将会
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抢先三星一步！台积电宣布启动2nm工艺研发并建全球首家2nm厂
据外媒消息，台积电正式宣布启动2nm工艺的研发，这使其成为第一家宣布开始研发2nm工艺的公司。并且，台积电将在位于中国台湾新竹的南方科技园建立2nm工厂，预计2nm工艺将于2024年进入批量生产，而这主要是为了抢先三星一步。按照台积电的说法，2
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台积电破除质疑稳推2nm工艺 抢单动机下“纳米竞赛”步向理性
近日，台积电官宣正式启动2nm工艺的研发，并宣布将建设制程工厂，地址设置在位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。至此，台积电抢先友商三星、英特尔，为全球第一个宣布开始研发2nm工艺的厂商，届时芯片制程将步入物理极限，必须要透过基础研